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化学蚀刻与物理蚀刻的不同之处在于，它利用等离子体内产生的反应物质与基板材料之间的化学反应。常见的化学蚀刻类型涉及卤化物化学，台湾氮化镓材料刻蚀，其中氯或氟原子是蚀刻过程中的活性剂。蚀刻工艺的代表性化学物质是使用 NF3进行硅蚀刻。此蚀刻过程中的化学反应顺序为：
NF 3 e - → ? NF 2 F ? e -Si(s) 4F ? → SiF 4 ↑
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半导体蚀刻设备市场定义
蚀刻被认为是半导体制造周期中的重要工艺之一，因为该工艺消除了半导体表面的材料以根据其应用生成图案。半导体蚀刻设备市场的增长与半导体晶圆沉积和晶圆加工行业的增长成正比。市场范围涵盖湿式和干式两种类型的半导体蚀刻系统。
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干法腐蚀:干法刻蚀是通过等离子气与硅片发生物理或化学反应(或结合物理、化学两种反应)的方式将表面材料去除。
那什么是等离子体呢?
等离子体是完全或部分电离的气体离子，包括相同数量的正负电荷和不同数量的未电离分子组成。当足够大的电场加于气体并使其击穿和电离时，就产生了等离子体。
等离子体由自由电子触发，这些自由电子可以由加负偏压的电极发射或由其他方法产生。自由电子从电场获得动能，在穿过气体的运动过程中与气体分子碰撞而损失能量。在碰撞中转移的能量使得气体分子电离，产生自由电子。这些自由电子又从电场中获得动能，以上过程不断持续。
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