MEMS光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
薄膜工艺就是指在半导体晶晶圆片上沉积各种材料，以实现不同电路功能或特性的过程。和前面几个工艺步骤是按工艺过程来命名不同，这一步骤命名方式是按材料的“状态”来命名的。这个命名甚至让人看起来有些费解，从示意图看，半导体器件看上去都是厚厚的一个个器件，哪来的薄膜？
其实为了理解方便，半导体器件结构在图示时经过了抽象和不等比例的放大，实际中半导体器件在晶圆片上非常薄的一层内实现。通常厚度在1微米以内。对于一个8英寸（200毫米）的晶圆片来说，1微米的厚度薄膜的制作，相当于在200米直径的操场上，均匀的堆积1毫米厚的沙子。这层薄膜非常的薄，但功能却非常强大。各个半导体器件之间或是金属连接，或是电场联系，均需要用这些薄膜层实现。薄膜层实现了各器件间复杂贯穿的“阡陌交通”。正是因为这层结构非常的薄，于是就被称作“薄膜”工艺。这么薄的膜层不能通过机械方式来制造，于是，接触式光刻工艺工厂，掺杂“沉积”（Deition）工艺被发明出来。
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干法刻蚀干法刻蚀是用等离子体或者离子束等来对晶圆片进行轰击将未被保护的半导体结构进行去除的方法。相比于湿法刻蚀，干法刻蚀精度高、选择性和方向性好，并且不会产生残留物，适用于制造高集成度的芯片。
然后干法刻蚀也有缺点，安徽接触式光刻工艺，例如成本高，设备复杂，处理时间长。
在半导体工艺步骤中，会根据不同的目标和需求，灵活选择适合的工艺。甚至在同一个器件制作的不同步骤中，会混合使用湿法刻蚀和干法刻蚀。
通过光刻及刻蚀步骤，就可以将希望的图形，在晶圆片上真正实现。需要说明的是，光刻/蚀刻步骤一次只能实现一层半导体结构，由于半导体器件是多层器件， 通过需要迭代多次才能将半导体器件完整蚀刻出来。并且随着工艺复杂度的不同，需要的层数也不同。例如在0.18微米的CMOS工艺中，需要的光罩层数约为20层，而对于7nm左右的CMOS工艺来说，则需要55-60层
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在半导体工艺里，沉积是指在原子或分子水平上，将材料沉积在晶圆表面作为一个薄层的过程。沉积工艺就像是喷涂刷，将涂料均匀的薄薄喷洒在晶圆表面上。
根据实现方法的不同，沉积主要分为物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。
PVD是利用物理方法，将材料源气化成气态原子、分子，或电离成离子，并通过低压气体，在基体表现沉积成薄膜的过程。一般用来沉积金属薄膜。
CVD是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物，在衬底表面进行化学反应形成薄膜的方法。一般用于沉积半导体或绝缘体，以及金属合金等。
为了增强化学反应，CVD也可以与其他方法相结合。如PECVD（等离子增强CVD，就是利用等离子体来化学反应，改善CVD的方法。
根据不同目标和需求，PVD和CVD在实际工艺流程中也可以自由选择。
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接触式光刻工艺外协-安徽接触式光刻工艺-半导体材料(查看)由广东省科学院半导体研究所提供。广东省科学院半导体研究所是从事“深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供更好的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：曾经理。