MEMS材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
目前干法刻蚀市场占比90%，湿法刻蚀占比10%，湿法刻蚀一般适用于尺寸较大的情况下（大于3微米）以及用来腐蚀硅片上某些层或用来去除干法刻蚀后的残留物。其余，生产中大部分采用干法刻蚀。
干法刻蚀与湿法腐蚀工艺利用药液处理的原理不同，干法刻蚀在刻蚀表面材料时，既存在化学反应又存在物理反应。因此在刻蚀特性上既表现出化学的等方性，又表现出物理的异方性。所谓等方性，是指纵横两个方向上均存在刻蚀。而异方性，则指单一纵向上的刻蚀。
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材料刻蚀技术——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，硅孔材料刻蚀技术，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
由于离子垂直射向表面，垂直方向的蚀刻速率收到了显著的增强，
此外由于离子与沟槽底面发生显著的相互作用，优先地移除了阻碍反应发生的副产物，
与此同时，侧墙上的沉积物/副产物降低了侧墙上的化学刻蚀速率，使刻蚀形貌接近垂直.
各向异性获得的垂直角度在半导体制造工艺中定义稠密图形（细栅）时是极为重要的
RIE中的各向异性蚀刻获得的角度与离子流的能量，角度分布和副产物的钝化性能间的平衡直接相关
入射离子能量和角分布与电场释放出朝向衬底的离子直接相关，
更低的压力和更高的衬底偏置是控制离子能量（增加）和角度分布（较少）的关键
CxFy聚合物是一种常见的蚀刻气体
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材料刻蚀技术——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，河南材料刻蚀技术，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
刻蚀的目的是把经曝光、显影后光刻胶微图形中下层材料的部分去掉，即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。
刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术，一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区，它是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不同，半导体材料刻蚀技术，通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术；湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，深硅刻蚀材料刻蚀技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术，
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